من طرف D&G الأحد يونيو 29, 2008 5:02 pmلبناء دائرة الـ IC-Flasher سنحتاج إلى المكونات التالية:
لوحة مطبوعة صغيرة.
عدد 2 سوكيت لشريحة الـ BIOS (DIP أو PLCC)، على أن يكونا من نفس النوع.
عدد 2 مقاومة 10K.
مفتاح 2-Position Switch.
عند استخدام دائرة الـ IC-Flasher سنحتاج إلى ما يلي:
شريحة BIOS سليمة ومبرمجة من أي لوحة أم.
قرص الإقلاع الذي قمنا بإعداده سابقا ولكن بدون ملف Autoexec.bat الذي ذكرناه سابقا.
شريحة BIOS إضافية من نوع Flash ROM (مثل Atmel 29C020 DIP 32).
تبين شريحة العرض التالية طريقة بناء دائرة الـ IC-Flasher:
يتم تركيب شريحة الـ Flash ROM الإضافية في سوكيت U2، ويجب أن تكون السعة التخزينية لهذه الشريحة الإضافية مطابقة للسعة التخزينية للشريحة المراد برمجتها.
عند اختيار لوحة أم لاستخدامها لبرمجة شريحة BIOS خاصة بلوحة أم أخرى بواسطة طريقة الـ IC-Flasher، ينبغي أن تكون السعة التخزينية لشريحة الـ BIOS الخاصة باللوحة الأم المستخدمة مطابقة للسعة التخزينية للشريحة المراد برمجتها.
نقوم بفك شريحة الـ BIOS من اللوحة الأم التي سنقوم باستخدامها، ونركبها في دائرة الـ IC-Flasher في السوكيت U1، ثم نقوم بتوصيل السوكيت U3 مكانها على اللوحة الأم.
نقوم بضبط مفتاح الاختيار SW1 بحيث تكون U1 هي الفعالة، ثم نشغل الجهاز.
نستخدم قرص الإقلاع الذي قمنا بإعداده دون ملف Autoexec.bat لتحميل نظام التشغيل DOS.
نستخدم Award Flash لحفظ نسخة من الـ BIOS الحالي في ملف على القرص.
نقوم بضبط مفتاح الاختيار SW1 بحيث تصبح U2 هي الفعالة، ثم نستخدم Award Flash ونسخة الـ BIOS التي قمنا بإعدادها في الخطوة السابقة لبرمجة شريحة الـ BIOS الإضافية الموجودة في سوكيت U2.
نطفئ الجهاز ثم نقوم بفك شريحة الـ BIOS من السوكيت U1 في دائرة الـ IC-Flasher، ونركب في U1 شريحة الـ BIOS المراد برمجتها.
نعيد تشغيل الجهاز. بعد تحميل نظام التشغيل DOS، نقوم بتغيير مفتاح الاختيار SW1 مرة أخرى بحيث تصبح U1 هي الفعالة.
نستخدم Award Flash وملف الـ BIOS المناسب لبرمجة شريحة الـ BIOS الموجودة في سوكيت U1.
نطفئ الجهاز ونقوم بفك سوكيت U3 الخاص بدائرة IC-Flasher من اللوحة الأم، ثم نعيد تركيب شريحة الـ BIOS الخاصة بهذه اللوحة الأم في مكانها.
نفك شريحة الـ BIOS الموجودة في سوكيت U1 والتي تم برمجتها، ثم نقوم بتركيبها في اللوحة الأم الخاصة بها. وهكذا نكون قد انتهينا من إصلاح العطل.
الأعطال المرتبطة بمنظمات الجهد Voltage Regulators
تعتبر منظمات الجهد Voltage Regulators من العناصر الهامة في دوائر قسم التغذية بالقدرة Power Circuit Section الموجود على اللوحة الأم.
الهدف من وجود منظمات للجهد على اللوحة الأم هو الحصول على جهد تغذية منتظم لتشغيل العناصر الأساسية على اللوحة الأم مثل المعالج Processor والـ Chipset، بالإضافة إلى الدوائر المتكاملة الأخرى التي تؤدي الوظائف المختلفة للوحة الأم.
تستخدم كذلك دوائر تنظيم للجهد لتغذية فتحة التوسعة Expansion Slot من نوع AGP الخاصة ببطاقة العرض Display Card.
ترتبط الأعطال في منظمات الجهد Voltage Regulators ارتباطا وثيقا بأعطال الملفات والمكثفات، وخاصة تلك التي تقوم بتنعيم الجهد الداخل من وحدة التغذية بالقدرة Power Supply إلى اللوحة الأم.
تستخدم كمنظمات للجهد على اللوحة الأم إما ترانزستورات من نوع MOSFET أو ثنائيات Diodes من نوع Schottky Diodes.
تتشابه ترانزستورات MOSFET وثنائيات Schottky في الشكل الخارجي كثيرا، ولكن يمكن تحديد ما إذا كانت القطعة المقصودة أيا منهما بالإستعانة بالرموز المكتوبة عليها للحصول على Datasheet لهذه القطعة.
بعض اللوحات الأم تستخدم ترانزستورات MOSFET وثنائيات Schottky معا لبناء دوائر تنظيم الجهد.
عادة ما تتواجد ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظيم الجهد في صورة مجموعات، تتكون كل منها من 2 أو 3 ترانزستورات حسب تصميم اللوحة الأم.
عادة ما تتواجد على اللوحة الأم مجموعتين من ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظيم الجهد. ويكون الطرف الأوسط للترانزستورات في مجموعة واحدة فقط منها متصلا مباشرة بمصدر التغذية +5V القادم من وحدة التغذية بالقدرة Power Supply. ويمكن التأكد من ذلك بتشغيل اللوحة الأم وقياس الجهد على الطرف الأوسط لكل MOSFET منها باستخدام جهاز الملتيميتر.
يلاحظ أن الطرف الأوسط لترانزستور MOSFET يكون متصلا كهربيا بموضع لحام الـ MOSFET على اللوحة الأم.
تبين الصورة التالية مجموعة من المكثفات ومنظمات الجهد التالفة:
عند تغيير ترانزستور من نوع MOSFET تالف بآخر سليم، ليس من الضروري أن يكون الترانزستور السليم مطابق للتالف بنسبة 100%، وإنما يكفي أن يشترك معه في بعض الخصائص الأساسية، وهي:
النوع: N-channel أو P-channel.
جهد البوابة Gate Voltage: Logic Level Gate Voltage أو Regular Level Gate Voltage.
Power, Voltage, & Current Ratings.
مقاومة التوصيل On-Resistance.
عند تغيير ثنائي من نوع Schottky تالف بآخر سليم، ليس من الضروري أن يكون الثنائي السليم مطابق للتالف بنسبة 100%، وإنما يكفي أن يشترك معه في بعض الخصائص الأساسية، وهي:
Power, Voltage, & Current Ratings.
جهد الانحياز الأمامي Forward Voltage.
يسمح لترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky البديل أن يكون له Power, Voltage, & Current Ratings أعلى من الترانزستور أو الثنائي التالف، ولا يسمح بالعكس.
يسمح لمقاومة التوصيل On-Resistance لترانزستور MOSFET البديل أن تكون مساوية أو أقل قليلا من الترانزستور التالف، ولا يسمح لها بأن تأخذ قيمة أعلى.
يسمح لجهد الانحياز الأمامي Forward Bias Voltage لثنائي Schottky البديل أن يكون مساويا أو أقل قليلا من الثنائي التالف، ولا يسمح له بأن يأخذ قيما أعلى.
لا ينصح باستعمال قطع بديلة مكافئة من نوع NTE لوجود اختلافات جذرية في خصائصها عن القطع الأصلية.
يمكن فك ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky التالف من اللوحة الأم ولحام البديل السليم مكانه إما باستخدام كاوية اللحام العادية (على ألا تقل قدرتها عن 50W) أو باستخدام جهاز الـ Hot Air Jet (وهو ما أنصح به شخصيا لتجنب إلحاق تلفيات باللوحة الأم).
في حالة ما إذا كانت اللوحة الأم التي يتم تغيير ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky لها مستخدمة لمدة طويلة، فإنه ينصح كذلك بتغيير مكثفات التنعيم Smoothing Capacitors القريبة.
بعد تغيير ترانزستورات MOSFET أو ثنائيات Schottky للوحة الأم، ينصح باختبار درجة حرارة القطع التي تم تغييرها وكذلك تلك التي لم يتم تغييرها والتأكد من أنها في الحدود الطبيعية (وهي درجة حرارة الغرفة). أما إذا وجد أن درجة حرارة القطع التي تم تغييرها أعلى من الطبيعي فإن هذا قد يعني ضرورة تغيير الدائرة المتكاملة المسئولة عن تنظيم ومراقبة الجهد VRM (Voltage Regulator & Monitor)، والتي تقوم بتشغيل منظمات الجهد هذه.
قبل اختبار الـ MOSFET إن كان تالفا أم لا، ينبغي فكه أولا من اللوحة الأم.
